由于北美沒有管理PFC的規定，能源節省和空間/成本的考慮成為在消費類產品、計算機和通信領域中必須使用PFC的附加驅動因素。肖特基二極管功率因數校正(PFC)市場主要受與降低諧波失真有關的全球性規定影響。在英國肖特基二極管、日本和中國也存在類似的標準。DCM模式一般用于輸出功率在75W到300W之間的應用；CCM模式用于輸出肖特基二極管應用功率大于300W的應用。當輸出功率超過250W時，PFC具有成本效益，因為其它方面(比如效率)得到了補償性的提高。主動PFC有兩種通用模式：使用三角形和梯形電流波形的不連續電流模式(DCM)和連續電流模式(CCM)。

　　在輸入肖特基二極管85V交流電壓時，必須有較低的Rdson，因為傳導熱損失與輸入電壓的3次方成反比關系。這種MOSFET管的高頻工作能夠顯著減少升壓抑制。因此晶體管的快速開關特性是必須的。肖特基二極管應用升壓二極管應該具有快速開關、低Vf和低Qrr特性。為了減少MOSFET在接通時的峰值電流壓力，低Qrr是必須的。如果沒有這一特性，升壓MOSFET將增加溫度和Rdson，導致更多的功率損失，從而降低效率。在高功率密度應用中效率是取得較小體積(30W/cm3英寸)和減少無源器件尺寸的關鍵因素。因此高的開關頻率必不可少。

　　為了設計效率和外形尺寸優的CCM PFC，升壓二極管還必須肖特基二極管應用具備以下一些特性：較短的反向恢復和正向恢復時間；較小的儲存電荷Q；低的漏電流和較低的開關損耗。過壓和浪涌電流能力非常重要，它們能夠用來處理PFC中由啟動和交流回落引起的浪涌和過電流。這些特性只有用碳化硅肖特基二極管(SiC肖特基二極管)才能實現。 

　　由于SiC肖特基二極管的開關行為獨立于正向電流(Iload)、開關速度(di/dt)和肖特基二極管應用溫度，因此這種肖特基二極管在設計中很容易使用。在設計中采用SiC肖特基二極管能夠實現大的開關工作頻率(高可達1MHz)，從而可以使用更小體積的無源器件。